Team Group Team Elite - DDR4 - Modul - 16 GB - SO DIMM 260-PIN

Team Group ELITE DDR4 16GB 3200MHz (TED416G3200C22-S01) yra 16 GB talpos, 260 kontaktų SO-DIMM atminties modulis, skirtas nešiojamiesiems kompiuteriams. Šis DDR4 modulis atitinka JEDEC standartus, veikia 1,2 V įtampa, užtikrina 3200 MHz dažnį ir CAS delsą 19, todėl žymiai pagerina kelių užduočių vykdymą ir sistemos reagavimą, išlaikant suderinamumą su šiuolaikiniais mikroschemų rinkiniais.

Privalumai

Dėl 1,2 V darbinės įtampos ELITE DDR4 modulis sunaudoja mažiau energijos nei ankstesnės kartos, mažina šilumos išsiskyrimą ir padeda palaikyti vėsesnę sistemos aplinką. Naudojamos aukštos kokybės IC mikroschemos, o griežti testai užtikrina stabilų veikimą ir platų suderinamumą su dabartinėmis Intel platformomis.

Kur naudoti

• Nešiojamojo kompiuterio atminties atnaujinimui geresniam kelių užduočių vykdymui
• Esamų SO-DIMM modulių keitimui suderinamuose nešiojamuosiuose kompiuteriuose
• Sistemoms, kurioms reikalingi žemos įtampos, 260 kontaktų DDR4 SO-DIMM moduliai
• Vartotojams, ieškantiems 16 GB modulio su 3200 MHz dažniu

Pagrindinės specifikacijos

• Talpa: 16 GB
• Tipas: DDR4 SO-DIMM (260 kontaktų)
• Dažnis: 3200 MHz
• CAS delsa: 19
• Įtampa: 1,2 V
• Modelis / MPN: TED416G3200C22-S01
• EAN: 0765441651715

Kaip naudoti

Išjunkite nešiojamąjį kompiuterį ir, jei įmanoma, išimkite bateriją. Pagal įrenginio vadovą atidarykite atminties skyrių, atsargiai atlaisvinkite esamą SO-DIMM modulį (jei keičiate) atlenkdami šoninius fiksatorius, ir įstatykite Team Group ELITE DDR4 modulį į 260 kontaktų lizdą kampu, kol fiksatoriai užsifiksuos. Surinkite nešiojamąjį kompiuterį ir įjunkite; sistema automatiškai aptiks naują 16 GB modulį. Patikrinkite atminties parametrus BIOS/UEFI arba operacinėje sistemoje, kad įsitikintumėte, jog dažnis ir nustatymai yra teisingi.

Rekomendacijos

Šį 16 GB DDR4 3200 MHz SO-DIMM modulį montuokite sistemose, kurios palaiko DDR4 SO-DIMM modulius ir 1,2 V įtampą. Prieš pirkdami patikrinkite savo nešiojamojo kompiuterio specifikacijas dėl maksimalios palaikomos atminties talpos ir suderinamų modulių dažnių.