2-power 8GB DDR5 5600MHz CL40 DIMM atmintis (2P-IN5T8GNJWDX)

2-Power 8GB DDR5 5600MHz CL40 DIMM yra solidus pasirinkimas profesionalams, ieškantiems patikimo našumo padidinimo be nereikalingo sudėtingumo. Šis modulis užtikrina sklandų kelių programų darbą, greitą duomenų pasiekimą ir stabilų sistemos darbą, kas yra būtina šiuolaikinėje verslo aplinkoje.

Kam tinka

Ši atmintis skirta staliniams kompiuteriams, kuriuose naudojama DDR5 platforma. Ji puikiai tinka biuro darbuotojams, dirbantiems su dideliais dokumentais ir skaičiuoklėmis, programuotojams, paleidžiantiems virtualias mašinas, bei analitikams, apdorojantiems didelius duomenų kiekius. Tai paprastas ir efektyvus būdas padidinti sistemos našumą be papildomų sąnaudų.

Pagrindiniai privalumai

• 8GB talpa – pakankama daugiafunkciniam darbui ir vidutinio sudėtingumo programoms
• DDR5 technologija su 5600MHz dažniu – didelis duomenų perdavimo greitis
• CL40 delsa – subalansuotas našumas ir stabilumas
• 288 kontaktų DIMM formato faktorius – suderinamas su standartinėmis pagrindinėmis plokštėmis
• 1.1V žema įtampa – mažesnis energijos suvartojimas ir šilumos išsiskyrimas
• Palaiko Intel XMP 3.0 ir AMD EXPO profilius – lengvas našumo derinimas
• Vieno rango konfigūracija – platus suderinamumas

Specifikacijos

• Atminties tipas: DDR5
• Talpa: 8GB
• Dažnis: 5600MHz
• CAS delsa: CL40
• Formato faktorius: 288 kontaktų DIMM
• Modulio tipas: Nebuferinis (Unbuffered)
• Klaidų tikrinimas: Ne-ECC
• Įtampa: 1.1V
• Modulio konfigūracija: 1 x 8GB
• Rangas: Vieno rango (1Rx8)
• Šilumos skirstytuvas: Nėra (standartinė žalia PCB)
• Darbinė temperatūra: 0°C iki 85°C

Naudojimas

Įdiegimas yra paprastas: išjunkite kompiuterį, atidarykite korpusą, įstatykite modulį į laisvą DIMM lizdą ir įjunkite sistemą. Po įdiegimo BIOS paprastai automatiškai atpažįsta atmintį. Jei norite išnaudoti visą našumą, suaktyvinkite XMP arba EXPO profilį BIOS nustatymuose.

Patarimas: norėdami dar labiau padidinti našumą, įdiekite du vienodus modulius, kad suaktyvintumėte dviejų kanalų režimą. Tai gali žymiai pagerinti atminties pralaidumą ir bendrą sistemos atsaką.